Name: NVMTS0D4N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D4N04CTXGOSTR-ND
Price: 288.0768 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMTS0D4N04CTXG
Číslo produktu DigiKey	NVMTS0D4N04CTXGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMTS0D4N04CTXGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMTS0D4N04CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMTS0D4N04CTXG
Popis	MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 79,8A (Ta), 558A (Tc) 5W Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMTS0D4N04CTXG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	79,8A (Ta), 558A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,45mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	251 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	16500 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFNW (8,3x8,4)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	NVMTS0