Name: FDD850N10L
Brand: onsemi
SKU: FDD850N10LTR-ND
Price: 34.7875 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD850N10L
Číslo produktu DigiKey	FDD850N10LTR-ND - Páska a cívka (TR) FDD850N10LCT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD850N10L
Popis	MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 15,7A (Tc) 50W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1465 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	50W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FDD850