NC1M120C75HTNG NovuSem | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NC1M120C75HTNG
Číslo produktu DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Výrobce	NovuSem
Číslo produktu výrobce	NC1M120C75HTNG
Popis	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	NovuSem
Řada	NC1M
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	47A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	2.8V @ 5mA
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1450 pF @ 1000 V
Rozptylový výkon (Max)	288W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L
Pouzdro	TO-247-4