Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 31.7625 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SPD04P10PLGBTMA1
cms-digikey-product-number	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	SPD04P10PLGBTMA1
cms-description	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
cms-standard-lead-time	26 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-kanál 100 V 4,2A (Tc) 38W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SPD04P10PLGBTMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	850mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 380µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	372 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	38W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SPD04P10

Jednotková cena bez DPH:	26,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:	31,76250 Kč

SPD04P10PLGBTMA1