SPB10N10L G Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

SPB10N10L G je pozastaven a není již veden u společnosti Digi-Key.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPB10N10L G
Číslo produktu DigiKey	SPB10N10LGINTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB10N10L G
Popis	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10,3A (Tc) 50W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	154mOhm při 8,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 21µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	444 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	50W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SPB10N

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Prodej ukončen

Tento produkt již není veden u společnosti Digi-Key. Zobrazit Náhrady.

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)