TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF520NSPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF520NSPBF-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IRF520NSPBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 9,7A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRF520NSPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
HEXFET®
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
200mOhm při 5,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
330 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,8W (Ta), 48W (Tc)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Alternativní typy balení.
Nezrušitelné/nevratné