IRF9952PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 26,69000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 3,5A, 2,3A 2W Montáž na povrch 8-SO
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF9952PBF

Číslo produktu DigiKey
IRF9952PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF9952PBF
Popis
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 3,5A, 2,3A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
3,5A, 2,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs
100mOhm při 2,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
190pF při 15V
Výkon - max
2W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SO
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.