Name: IPDQ60R024CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R024CM8XTMA1TR-ND
Price: 247.5055 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

cms-photo-disclaimer

IPDQ60R024CM8XTMA1
cms-digikey-product-number	448-IPDQ60R024CM8XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPDQ60R024CM8XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPDQ60R024CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPDQ60R024CM8XTMA1
cms-description	IPDQ60R024CM8XTMA1
cms-standard-lead-time	20 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 600 V 97A (Tc) 480W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-1
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	97A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 41,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,7V při 1,06mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5382 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	480W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22-1
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP