Name: IPD06N03LAG
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-IPD06N03LAG-ND
Price: 18.1471 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD06N03LAG
Číslo produktu DigiKey	2156-IPD06N03LAG-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD06N03LAG
Popis	N-CHANNEL POWER MOSFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,7mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2653 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-11
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63