N-kanál 650 V 53A (Tc) 197W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA65R030M1HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA65R030M1HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA65R030M1HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 53A (Tc) 197W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZA65R030M1HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
42mOhm při 29,5A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,7V při 8,8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (max)
+20V, -2V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1643 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
197W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-3
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 13
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1245,35000 Kč245,35 Kč
30147,71733 Kč4 431,52 Kč
120126,32858 Kč15 159,43 Kč
510124,06420 Kč63 272,74 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:245,35000 Kč
Jednotková cena s DPH:296,87350 Kč