
IMT65R050M2HXUMA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMT65R050M2HXUMA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 15V, 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 46mOhm při 18,2A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,6V při 3,7mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 790 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 237W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-HSOF-8-2 | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
2 000 | 59,43580 Kč | 118 871,60 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 59,43580 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 71,91732 Kč |