IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IGT60R070D1ATMA4
Číslo produktu DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGT60R070D1ATMA4
Popis	GANFET N-CH
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-3
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 2,6mA
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	380 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-3
Pouzdro	8-PowerSFN