Name: IAUCN10S5L280DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L280DATMA1TR-ND
Price: 37.5584 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN10S5L280DATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN10S5L280DATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN10S5L280DATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN10S5L280DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN10S5L280DATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 23A (Tj) 38W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-61
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN10S5L280DATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 10µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	690pF při 10V
Výkon - max	38W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-61