Nový produkt
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A 20mW Montáž na šasi AG-EASY2B
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1

Číslo produktu DigiKey
448-FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies Americas Corp.
Číslo produktu výrobce
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Popis
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Standardní dodací lhůta výrobce
35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A 20mW Montáž na šasi AG-EASY2B
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies Americas Corp.
Řada
CoolSiC™
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
190A
Rds zap (max) při Id, Vgs
6mOhm při 200A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,15V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
594nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
17600pF při 800V
Výkon - max
20mW
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
AG-EASY2B
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 12
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
16 607,45000 Kč6 607,45 Kč
185 536,33056 Kč99 653,95 Kč
365 384,96194 Kč193 858,63 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:6 607,45000 Kč
Jednotková cena s DPH:7 995,01450 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B

Infineon Technologies

3 725,03000 Kč