Name: GT015N06TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT015N06TLTR-ND
Price: 98.0584 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT015N06TL
Číslo produktu DigiKey	3141-GT015N06TLTR-ND - Páska a cívka (TR) 3141-GT015N06TLCT-ND - Řezaná páska (CT) 3141-GT015N06TLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Goford Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GT015N06TL
Popis	MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 350A (Tc) 350W (Tc) Montáž na povrch TOLL-8L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Goford Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	350A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10694 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	350W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL-8L
Pouzdro	8-PowerSFN