Name: G3F25MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 445.8608 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G3F25MT12J-TR
Číslo produktu DigiKey	1242-G3F25MT12J-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1242-G3F25MT12J-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1242-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	GeneSiC Semiconductor
Číslo produktu výrobce	G3F25MT12J-TR
Popis	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 87A (Tc) 362W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	87A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	34mOhm při 34A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 24mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	128 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3325 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	362W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA