Name: DMN1008UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1008UFDF-13DITR-ND
Price: 15.7905 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1008UFDF-13
Číslo produktu DigiKey	DMN1008UFDF-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1008UFDF-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1008UFDF-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1008UFDF-13
Popis	MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 12,2A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23.4 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	995 pF @ 6 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (Typ F)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	DMN1008

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 15 945

Skladové zásoby výrobce: 310 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®