Name: DMHC6070LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC6070LSD-13DITR-ND
Price: 43.1002 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMHC6070LSD-13
Číslo produktu DigiKey	DMHC6070LSD-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMHC6070LSD-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMHC6070LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMHC6070LSD-13
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 3,1A, 2,4A 1,6W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMHC6070LSD-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,1A, 2,4A
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm při 1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11,5nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	731pF při 20V, 618pF při 20V
Výkon - max	1,6W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMHC6070