Name: DMG6402LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6402LVT-7DITR-ND
Price: 10.5875 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG6402LVT-7
Číslo produktu DigiKey	DMG6402LVT-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG6402LVT-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG6402LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG6402LVT-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 6A (Ta) 1,75W (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	498 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,75W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	DMG6402