Name: DMC62D2SV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC62D2SV-13TR-ND
Price: 1.49842 CZK
Availability: OutOfStock

DMC62D2SV-13 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 8,12000 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 1,36345 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 2 357

Jednotková cena : 7,92000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMC62D2SV-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMC62D2SV-13TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMC62D2SV-13
Popis	MOSFET N/P-CH 60V 0.48A SOT563
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 480mA (Ta), 320mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch SOT-563
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál doplňkový
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	480mA (Ta), 320mA (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7Ohm při 200mA, 10V, 4Ohm při 200mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA, 3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1,04nC při 10V, 1,1nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	41pF při 30V, 40pF při 25V
Výkon - max	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-563, SOT-666
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-563

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)