


AMTP65H150G4LSGB | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | AMTP65H150G4LSGB |
Popis | GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch 4-DFN (8 x 8) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Hromadné balení | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 180mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 8.8 nC @ 6 V | |
Vgs (max) | ±18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 760 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 52W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 4-DFN (8 x 8) | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 864,24000 Kč | 864,24 Kč |
10 | 775,66800 Kč | 7 756,68 Kč |
100 | 635,54000 Kč | 63 554,00 Kč |
500 | 541,02342 Kč | 270 511,71 Kč |
1 000 | 456,28490 Kč | 456 284,90 Kč |
3 000 | 400,60214 Kč | 1 201 806,42 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 864,24000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 1 045,73040 Kč |