9A low-side hradlový budič IX4352NE tranzistorů SiC MOSFET a IGBT

Hradlový budič IX4352NE od společnosti IXYS, A Littelfuse Technology je navržen speciálně pro buzení tranzistorů SiC MOSFET a výkonových tranzistorů IGBT. Samostatné 9A výstupy zdroje a aktivní zátěže umožňují na míru přizpůsobené časování zapínání a vypínání při minimalizaci spínacích ztrát. Interní regulátor záporného náboje poskytuje uživatelem volitelné, záporné předpětí buzení hradla pro zlepšení odolnosti vůči dV/dt a zrychlení vypínání.

Obvod detekce desaturace snímá nadproudový stav tranzistoru SiC MOSFET a spouští jemné vypnutí, čímž zabraňuje potenciálně škodlivé události dV/dt. Neinvertující logický vstup IN je kompatibilní s logikou TTL a CMOS; vnitřní posouvače úrovně poskytují potřebné předpětí pro přizpůsobení záporným předpětím buzení hradla. Další ochranné funkce zahrnují podpěťové blokování (UVLO) a tepelnou ochranu. Výstup FAULT s otevřeným odtokem signalizuje chybový stav mikrokontroléru.