Name: SQJ422EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND
Price: 57.3056 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ422EP-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJ422EP-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ422EP-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ422EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ422EP-T1_BE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 75A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ422EP-T1_BE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	75A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,4mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5000 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJ422