Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 53.4941 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS5112DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISS5112DN-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SISS5112DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14,9mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	790 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8S
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8S
Základní číslo produktu	SISS5112