Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 23.6676 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIRA12BDP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRA12BDP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRA12BDP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,3mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1470 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 38W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA12