Name: SIR5623DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5623DP-T1-RE3TR-ND
Price: 61.5043 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIR5623DP-T1-RE3
cms-digikey-product-number	742-SIR5623DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR5623DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR5623DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIR5623DP-T1-RE3
cms-description	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
cms-standard-lead-time	28 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-kanál 60 V 10,5A (Ta), 37,1A(Tc) 4,8W (Ta), 59,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
cms-eda-cad-models	SIR5623DP-T1-RE3 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,5A (Ta), 37,1A(Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1575 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,8W (Ta), 59,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR5623

Jednotková cena bez DPH:	50,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	61,50430 Kč

SIR5623DP-T1-RE3