Name: SIJH800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH800E-T1-GE3TR-ND
Price: 128.0422 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIJH800E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJH800E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJH800E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJH800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJH800E-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	29A (Ta), 299A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,55mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10230 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8
Pouzdro	PowerPAK® 8x8

Jednotková cena bez DPH:	105,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	128,04220 Kč

SIJH800E-T1-GE3