Name: SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJA22DP-T1-GE3TR-ND
Price: 49.1623 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIJA22DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJA22DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJA22DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJA22DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJA22DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) 4,8W (Ta), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJA22DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	64A (Ta), 201A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,74mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6500 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	4,8W (Ta), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIJA22