TO-263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB21N80AE-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SIHB21N80AE-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHB21N80AE-GE3
Popis
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHB21N80AE-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
235mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1388 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
32W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 655
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
181,88000 Kč81,88 Kč
1053,69900 Kč536,99 Kč
10037,68160 Kč3 768,16 Kč
50030,84288 Kč15 421,44 Kč
1 00028,64631 Kč28 646,31 Kč
2 00027,44657 Kč54 893,14 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:81,88000 Kč
Jednotková cena s DPH:99,07480 Kč