


SIDR638DP-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIDR638DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIDR638DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 40 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 0,88mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 204 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 10500 pF @ 20 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 125W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8DC | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 54,16000 Kč | 54,16 Kč |
10 | 37,39000 Kč | 373,90 Kč |
100 | 26,08750 Kč | 2 608,75 Kč |
500 | 21,38492 Kč | 10 692,46 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 17,47116 Kč | 52 413,48 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 54,16000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 65,53360 Kč |