Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3TR-ND
Price: 81.917 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIDR626DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR626DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 42,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	42,8A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5130 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8DC
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIDR626