
SIA430DJT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIA430DJT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIA430DJT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIA430DJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIA430DJT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 20 V 12A (Tc) 19,2W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIA430DJT-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 13,5mOhm při 7A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 800 pF @ 10 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 19,2W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 17,05000 Kč | 17,05 Kč |
| 10 | 10,63000 Kč | 106,30 Kč |
| 100 | 6,87280 Kč | 687,28 Kč |
| 500 | 5,25282 Kč | 2 626,41 Kč |
| 1 000 | 4,73036 Kč | 4 730,36 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 4,06609 Kč | 12 198,27 Kč |
| 6 000 | 3,73153 Kč | 22 389,18 Kč |
| 9 000 | 3,56105 Kč | 32 049,45 Kč |
| 15 000 | 3,36949 Kč | 50 542,35 Kč |
| 21 000 | 3,25607 Kč | 68 377,47 Kč |
| 30 000 | 3,16276 Kč | 94 882,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 17,05000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 20,63050 Kč |











