Name: SIA430DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA430DJT-T1-GE3TR-ND
Price: 15.8752 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA430DJT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIA430DJT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIA430DJT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIA430DJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA430DJT-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 12A (Tc) 19,2W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIA430DJT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,5mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	19,2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo produktu	SIA430