Name: SI8410DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8410DB-T2-E1TR-ND
Price: 40.7528 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI8410DB-T2-E1
Číslo produktu DigiKey	SI8410DB-T2-E1TR-ND - Páska a cívka (TR) SI8410DB-T2-E1CT-ND - Řezaná páska (CT) SI8410DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI8410DB-T2-E1
Popis	MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 3,8A (Ta) 780mW (Ta), 1,8W (Tc) Montáž na povrch 4-Micro Foot (1x1)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	37mOhm při 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	850mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	620 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	780mW (Ta), 1,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4-Micro Foot (1x1)
Pouzdro	4-UFBGA
Základní číslo produktu	SI8410