Name: SI7956DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7956DP-T1-E3TR-ND
Price: 105.7056 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7956DP-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI7956DP-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7956DP-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7956DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7956DP-T1-E3
Popis	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 150V 2,6A 1,4W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7956DP-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,6A
Rds zap (max) při Id, Vgs	105mOhm při 4,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	26nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	1,4W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SI7956