Name: SI7898DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-GE3TR-ND
Price: 65.0254 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SI7898DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7898DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7898DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7898DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7898DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 3A (Ta) 1,9W (Ta) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	85mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,9W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SI7898

Jednotková cena bez DPH:	53,74000 Kč
Jednotková cena s DPH:	65,02540 Kč

SI7898DP-T1-GE3