Name: SI7812DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7812DN-T1-E3TR-ND
Price: 63.0168 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SI7812DN-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI7812DN-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7812DN-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7812DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7812DN-T1-E3
Popis	MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 16A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7812DN-T1-E3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	37mOhm při 7,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	840 pF @ 35 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SI7812

Jednotková cena bez DPH:	52,08000 Kč
Jednotková cena s DPH:	63,01680 Kč

SI7812DN-T1-E3