SI7478DP-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 3 602
Jednotková cena : 1,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 303
Jednotková cena : 2,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 9 986
Jednotková cena : 2,01000 Kč
Katalogový list
SIR401DP-T1-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7478DP-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI7478DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI7478DP-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 15A (Ta) 1,9W (Ta) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,9W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® SO-8
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.