Name: SM8S12AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S12AHE3_A/IGITR-ND
Price: 57.3056 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SM8S12AHE3_A/I
Číslo produktu DigiKey	SM8S12AHE3_A/IGITR-ND - Páska a cívka (TR) SM8S12AHE3_A/IGICT-ND - Řezaná páska (CT) SM8S12AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	SM8S12AHE3_A/I
Popis	TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	19,9V Svorka 332A Ipp TVS dioda Montáž na povrch DO-218AB
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Ochrana obvodů Transily (TVS) Transily (TVS)
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	PAR®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ	Zener
Jednosměrné kanály	1
Pracovní napětí v závěrném směru (typická hodnota)	12V
Průrazné napětí (min)	13,3V
Omezovací napětí (max) při Ipp	19,9V
Špičkový proudový impulz (10/1000µs)	332A
Špičkový impulzní výkon	6600W (6,6kW)
Ochrana napájecího vedení	Ne
Aplikace	-
Kapacita při kmitočtu	-
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	DO-218AB
Dodávaná velikost pouzdra	DO-218AB
Základní číslo produktu	SM8S12