Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 25.4584 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XPH6R30ANB,L1XHQ
Číslo produktu DigiKey	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	XPH6R30ANB,L1XHQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	XPH6R30ANB,L1XHQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	45A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,3mOhm při 22,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3240 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	XPH6R30