Name: TPN22006NH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN22006NHLQTR-ND
Price: 39.9905 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPN22006NH,LQ
Číslo produktu DigiKey	TPN22006NHLQTR-ND - Páska a cívka (TR) TPN22006NHLQCT-ND - Řezaná páska (CT) TPN22006NHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPN22006NH,LQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Montáž na povrch 8-TSON rozšířený (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPN22006NH,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	710 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-TSON rozšířený (3,3x3,3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPN22006