Name: TPH1110FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1110FNHL1QTR-ND
Price: 64.2026 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH1110FNH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPH1110FNHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH1110FNHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH1110FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH1110FNH,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 10A (Ta) 1,6W (Ta), 57W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH1110FNH,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	112mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 300µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,6W (Ta), 57W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH1110