Name: TK4R9E15Q5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Price: 151.8066 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK4R9E15Q5,S1X
Číslo produktu DigiKey	264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK4R9E15Q5,S1X
Popis	150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSX-H
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 2,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7820 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220
Pouzdro	TO-220-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 121

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	125,46000 Kč	125,46 Kč
50	66,37060 Kč	3 318,53 Kč
100	60,67450 Kč	6 067,45 Kč
500	50,75660 Kč	25 378,30 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.