TK20A60U(Q,M) je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 38
Jednotková cena : 73,65000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 160,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 949
Jednotková cena : 87,80000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 582
Jednotková cena : 83,22000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 538
Jednotková cena : 126,08000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 695
Jednotková cena : 85,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 226
Jednotková cena : 72,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 494
Jednotková cena : 84,47000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 456
Jednotková cena : 87,59000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 247
Jednotková cena : 78,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 291
Jednotková cena : 66,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 100,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 44,21275 Kč
Katalogový list
TO-220-3 Full Pack
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK20A60U(Q,M)

Číslo produktu DigiKey
TK20A60UQM-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TK20A60U(Q,M)
Popis
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 20A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1470 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
45W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220SIS
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.