Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 33.88 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK11S10N1L,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK11S10N1L,LQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11A (Ta) 65W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK11S10N1L,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 5,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	850 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	65W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TK11S10