
TK10J80E,S1E | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | TK10J80ES1E-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | TK10J80E,S1E |
Popis | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 10A (Ta) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-3P(N) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | TK10J80E,S1E Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1Ohm při 5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 46 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2000 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 250W (Tc) | |
Provozní teplota | 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-3P(N) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 94,78000 Kč | 94,78 Kč |
| 25 | 49,50880 Kč | 1 237,72 Kč |
| 100 | 43,13060 Kč | 4 313,06 Kč |
| 500 | 37,47442 Kč | 18 737,21 Kč |
| 1 000 | 35,80156 Kč | 35 801,56 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 94,78000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 114,68380 Kč |


