Name: SSM6J422TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J422TULFTR-ND
Price: 12.7413 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SSM6J422TU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6J422TULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6J422TULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6J422TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J422TU,LF
Popis	MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch UF6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6J422TU,LF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	42,7mOhm při 3A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+6V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	840 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	UF6
Pouzdro	6-SMD, Ploché vodiče
Základní číslo produktu	SSM6J422

Jednotková cena bez DPH:	10,53000 Kč
Jednotková cena s DPH:	12,74130 Kč

SSM6J422TU,LF