Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 20.6305 CZK
Availability: OutOfStock

SSM3J140TU,LXHF není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 2 812

Jednotková cena : 15,37000 Kč

Katalogový list

Zobrazit a porovnat všechny náhrady

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3J140TU,LXHF
Číslo produktu DigiKey	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3J140TU,LXHF
Popis	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 4,4A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch UFM
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	25,8mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+6V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	UFM
Pouzdro	3-SMD, Ploché vodiče