Name: CSD19538Q2R
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19538Q2RTR-ND
Price: 7.00158 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CSD19538Q2R
Číslo produktu DigiKey	296-CSD19538Q2RTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Texas Instruments
Číslo produktu výrobce	CSD19538Q2R
Popis	100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 4,6A (Ta), 13,1A (Tc) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) Montáž na povrch 6-WSON (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Texas Instruments
Řada	NexFET™
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,6A (Ta), 13,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	59mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	454 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-WSON (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla