
STP35N65DM2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | STP35N65DM2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | STP35N65DM2 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 32A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | STP35N65DM2 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 110mOhm při 16A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 56.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2540 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 250W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-220 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 54,86293 Kč | 54 862,93 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 54,86293 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 66,38415 Kč |




