Name: STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14719-2-ND
Price: 153.5853 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH315N10F7-6
Číslo produktu DigiKey	497-14719-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-14719-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-14719-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH315N10F7-6
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STH315N10F7-6 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	DeepGATE™, STripFET™ VII
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,3mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	315W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-6
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	STH315